规格：M.2 2280
接口协议： Gen3*4 PCIe
容量： 256GB/512GB/1TB
控制器: InnoGrit英韧主控IG5216
NAND: 镁光原厂颗粒（Good die)
读写速度：3400MB/秒读取速度（512GB）、2400MB/秒写入速度(512GB)
性能特点：高速读写 稳固耐用 安静环保
工作温度：0°C~70°C
存储温度：-40°C~85°C
MTBF：1,500,000 小时
保固: 3 年有限保固
采用PCIE Gen3*4标准，支持NVMe 1.4协议，支持HMB功能。
支持更高的Flash频率，激发高速性能
支持温控算法，在持续工作中平衡速率与温度
支持低功耗L1.2功能，实现更低功耗，提升终端设备的续航时间
配置规格：
ORESEE XP1000 Gen3*4 PCIe系列使用InnoGrit英韧主控IG5216+镁光原厂颗粒（Good die)
供货容量从128GB~1TB ;